当前位置: 主页 > 艺术设计创业网 >

微电子所6500V超高压绝缘栅双极晶体管研制取得突破

时间:2019-10-05 06:06来源:未知 作者:admin 点击:
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)研制方面,继上半年1700V系列之后,近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT(沟槽栅场截止型)产品,在国际知名晶圆代工厂华虹N

  中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)研制方面,继上半年1700V系列之后,近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT(沟槽栅场截止型)产品,在国际知名晶圆代工厂华虹NEC 8寸制造工艺平台上首轮流片顺利完成,测试结果显示阻断电压达7100V以上,符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电子所IGBT研制方面迈上新的高度,我国自主IGBT芯片从设计到工艺的整体贯通又上了一个新的台阶。

  IGBT产品针对不同的应用领域按阻断电压等级进行分类,其中6500V系列是目前市场应用中电压等级最高的产品,主要用于电网、高铁、工业变频等战略产业领域。目前世界上只有欧洲、日本等极少数厂商拥有6500V的产品和技术,从器件结构设计到制造工艺,难点很多且难度较大,其中最主要难点之一就是如何使阻断电压达到6500V以上。

  微电子所与战略合作伙伴华虹NEC紧密合作,共同攻。

(责任编辑:admin)
相关内容: